دانلود   پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی

توضیحات محصول

دانلود پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی با فرمت pptx ودر18 اسلاید قابل ویرایش

قسمتی از متن پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی

فهرست

مقدمه ای بر نانولوله های کربنی

روش های ساخت نانو لوله های کربنی

CNTFET با گیت بالا

CNTFET با گیت دور نانو لوله

CNTFET با گیت پشتی

مشکلات CNTFET

مراحل ساخت CNTFETگيت دور نانولوله

مقايسه پارامترهای كليدی ترانزيستورهای اثر ميدان مبتنی بر نانولوله های كربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET

بررسی تئوری جريان درين در ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربنی گيت

کاربردCNTFET در سنسور گاز

کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET

نتیجه گیری

نانو لوله های کربنی

نانو لوله تک جداره

نانو لوله چند جداره

روش های ساخت نانو لوله های کربنی

تخلیه الکتریکی پلاسما

در این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از 30 درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند.

نشست شیمیایی بخار

در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارد

تبخیر لیزر

این روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد.

تمامی ترانزیستورهای روی یک ویفر بطور همزمان خاموش و روشن می شوند چون دارای گیت یکسان هستند.

ضخامت لایه اکسید زیاد است واز طرفی فرآیند تولید به گونه ای است که سطح تماس نانولوله کربنی با اکسید گیت کم بوده و برای خاموش روشن کردن قطعه با ولتاژ کم مشکل ایجاد می کند.

 پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی

ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا

در هندسه ترانزيستورهای گيت بالايی كه اولين بار توسط Bachtold وهمکارانش ارائه

شده است ، برای بهره بيشتر ، نانولوله های كربنی به طور كامل درون عايق گيت قرار داده می شود . برخلاف ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، می توان تعداد زيادی از اين نوع ترانزيستور را روی يك ويفر ساخت ، به دليل اينکه گيت های هر يك به

صورت مجزا می باشد . همچنين با توجه به ضخامت كم دی الکتريك گيت ، ميدان الکتريکی بزرگتری را می توان با يك ولتاژ كم روی نانولوله كربنی ايجاد كرد . با وجود روند ساخت پيچيده تر نسبت به ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، مزايا فوق باعث می شوند كه اين نوع ترجيح داده شوند